硅片

硅晶圆背减
采用陶瓷 / 树脂结合剂,适配 IC 封装阶段,表面粗糙度 Ra≤2nm,TTV≤3μm,铝合金基体导热耐腐蚀,转速适配 1000-3500r/min,进给速度 1.0-1.4μm/s,适配主流设备。
硅晶圆背减

应用场景


采用陶瓷 / 树脂结合剂,适配 IC 封装阶段,表面粗糙度 Ra≤2nm,TTV≤3μm,铝合金基体导热耐腐蚀,转速适配 1000-3500r/min,进给速度 1.0-1.4μm/s,适配主流设备。

· 超高速、大余量去除

· 极低亚表面损伤 (SSD)

· 高平面度、低 TTV

· 自锐性极强、不钝化

· 超轻磨削力、低应力

· 零金属污染


型号规格


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6A2T


规格

DTHXW结合剂粒度

6A2T

209

254

313

30

95

155

158

237

5

7

2

3

4.5

4

B

V

325

2000

30000

60000


磨削工件

Si 片

工件尺寸

12 英寸
砂轮规格

6A2T D313 (12 寸) V 60000

表面质量

表面磨纹均匀一致

粗糙度

≤2nm

TTV

≤2μm

Warp

≤10μm

Bowl

≤2μm