化合物半导体

氮化镓 (GaN) 减薄
采用陶瓷结合剂,耐高温耐磨、散热好,避免微裂纹与烧伤,TTV≤3μm,损伤层 < 2.7μm,效率突出,打破国外垄断,助力客户降本。
氮化镓 (GaN) 减薄

应用场景


采用陶瓷结合剂,耐高温耐磨、散热好,避免微裂纹与烧伤,TTV≤3μm,损伤层 < 2.7μm,效率突出,打破国外垄断,助力客户降本。

· 硬度极高,采用高锋利度金刚石,磨削效率高

· 材料极脆,砂轮锋利度高,降低表面损伤和应力

· 砂轮散热性好,避免热损伤

· 自锐性稳定,不钝化、不堵砂,加工质量稳定


型号规格


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6A2T


规格

DTHXW结合剂粒度
6A2T

209

254

313

30

95

155

158

237

5

7

2

3

4.5

4

B

325

2000


磨削工件

GaN 片

工件尺寸

4 英寸

砂轮规格

6A2T D209 (8 寸) V 2000

磨耗比 (砂轮:工件)

1:3

TTV

≤3μm