碳化硅

碳化硅衬底减薄
适配粗磨、精磨全工序,粒度涵盖 2000#、8000#、30000#,粗磨 Ra<15nm,精磨 Ra<2nm 可直接精抛,降低成本 40%,适配主流设备。
碳化硅衬底减薄

应用场景


适配粗磨、精磨全工序,粒度涵盖 2000#、8000#、30000#,粗磨 Ra<15nm,精磨 Ra<2nm 可直接精抛,降低成本 40%,适配主流设备。


型号规格


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6A2T


规格

D

T

H

X

W

结合剂

粒度

6A2T

209

254

313

30

95

155

158

237

57

2

3

4.5

4

ML

V

2000

8000

30000



磨削工件

SiC 片 粗磨SiC 片 精磨SiC 片 粗磨SiC 片 精磨

工件尺寸

6 英寸8 英寸

砂轮规格

D313 (12 寸) 

V 2000

D313 (12 寸) 

V 30000

D313 (12 寸) 

V 2000

D313 (12 寸) 

V 30000

磨耗比 (砂轮:工件)

1:61:1.81:41:1.4

粗糙度

-中心 1nm边缘 2nm-中心 1nm边缘 2nm

TTV

-< 3μm-< 4μm